真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

鈣鈦礦單結(jié)太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
提供從設(shè)備配置、技術(shù)服務(wù)、到量產(chǎn)工藝優(yōu)化，以及質(zhì)量控制的全過程解決方案，滿足包含從300mmx300mm到1200mmx2400mm尺寸的全產(chǎn)品線，滿足CE/UL標(biāo)準(zhǔn)，承諾PCE 20%@300mmx300mm電池組件、PCE 18%@0.6mx1.2m電池組件。



鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
在單結(jié)鈣鈦礦太陽能電池設(shè)備配置的基礎(chǔ)上，提供一步涂布法或干濕兩步法的鈣鈦礦/晶硅疊層電池制備工藝，包含從182mmx182mm到210mmx210mm尺寸的全產(chǎn)品線，滿足CE/UL標(biāo)準(zhǔn)，承諾高電池效率。

產(chǎn)品介紹：

狹縫涂布設(shè)備 Slot-Die

• 多段式供液，涂布膜層均勻性高

• 通過3個激光傳感器，實(shí)現(xiàn)快速自動對刀、防撞刀

• 搭配高精度注液泵

• 可采用鈣鈦礦溶劑驗(yàn)收

技術(shù)參數(shù)：


真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

技術(shù)特點(diǎn)：

• 集成閃蒸和退火工藝，成膜環(huán)境和成膜過程高度可控

• 大面積樣品退火受熱均勻，保證相變一致性

• 快速去除濕膜中的殘余溶劑，均勻的過飽和

• 變頻調(diào)速羅茨泵實(shí)現(xiàn)抽氣速率可控

技術(shù)參數(shù)：


激光劃刻設(shè)備 Laser Scriber

技術(shù)特點(diǎn)：

• P1、P2、P3飛秒、皮秒紅外激光可選

• 高度定制化，膜面/玻璃面劃刻可選，平頂光斑可選

• 精度高，具備逐線功能，線間距小

• 工藝成熟，邊緣光潔，無火山環(huán)及毛邊

技術(shù)參數(shù)：


蒸鍍設(shè)備 Evaporation System

技術(shù)特點(diǎn)：

• 多源共蒸，實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜

• 熱場和溫控精確

技術(shù)參數(shù)：


原子層沉積設(shè)備 Atomic Layer Deposition

技術(shù)特點(diǎn)：

• 精確控制薄膜厚度

• 薄膜均勻性高

• 溫控精度高

• 全自主工藝腔室設(shè)計(jì)，空間型和時間型可選，多片和單片可選

技術(shù)參數(shù)：



磁控濺射設(shè)備  Sputtering System

技術(shù)特點(diǎn)：

• 工藝穩(wěn)定性高

• 自研氧化鎳反應(yīng)濺射控制器

• ITO/NiOx靶采用圓柱靶，靶材利用率高

• 靶-基距可調(diào)，低損傷TCO導(dǎo)電膜鍍膜

技術(shù)參數(shù)：